RH6P040BHTB1 与 BSZ160N10NS3 G 区别
| 型号 | RH6P040BHTB1 | BSZ160N10NS3 G | ||||||||
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| 唯样编号 | A32-RH6P040BHTB1-2 | A-BSZ160N10NS3 G | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 59W | 63W | ||||||||
| 上升时间 | - | 10ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 25nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 16S | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 22ns | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | HSMT8 | PG-TSDSON-8 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 40A | 40A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 系列 | - | OptiMOS3 | ||||||||
| 长度 | - | 3.3mm | ||||||||
| 下降时间 | - | 5ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 13ns | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 15.6mΩ@40A,10V | 14mΩ | ||||||||
| 高度 | - | 1.10mm | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RH6P040BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40A 100V HSMT8 59W ±20V 15.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
￥8.285
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||
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BSZ160N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 40A 14mΩ 20V 63W N-Channel -55°C~150°C PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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ISZ230N10NM6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TSDSON-8 FL |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSZ340N08NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
80V 23A 34mΩ@12A,10V 20V 32W -55°C~150°C PG-TSDSON-8 N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSZ440N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 100V 18A 44mΩ@12A,10V ±20V 29W N-Channel PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSZ146N10LS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 40A 20.8mΩ N-Channel 1.1V,2.3V PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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